电子行业公司笔试题目
14、描述你对集成电路工艺的认识。（仕兰微面试题目）
15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕兰微面试题目）
16、请描述一下国内的工艺现状。（仕兰微面试题目）
17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）
18、描述cmos电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？（仕兰微面试题目）
19、解释latch-up现象和antenna effect和其预防措施.（未知）
20、什么叫latchup?（科广试题）
21、什么叫窄沟效应? （科广试题）
22、什么是nmos、pmos、cmos？什么是增强型、耗尽型？什么是pnp、npn？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）
23、硅栅coms工艺中n阱中做的是p管还是n管，n阱的阱电位的连接有什么要求？（仕兰微面试题目）
24、画出cmos晶体管的cross-over图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（infineon笔试试题）
25、以interver为例,写出n阱cmos的process流程,并画出剖面图。（科广试题）
26、please explain how we describe the resistance in semiconductor. compare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional cmos process.（威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）
27、说明mos一半工作在什么区。（凹凸的题目和面试）
28、画p-bulk 的'nmos截面图。（凹凸的题目和面试）
29、写schematic note（？）， 越多越好。（凹凸的题目和面试）
30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。（未知）
31、太底层的mos管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。ic设计的话需要熟悉的软件:
cadence,synopsys, avant，unix当然也要大概会操作。
32、unix 命令cp -r, rm,uname。（扬智电子笔试）
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三、单片机、mcu、计算机原理
1、简单描述一个单片机系统的主要组成模块，并说明各模块之间的数据流流向和控制流流向。简述单片机应用系统的设计原则。（仕兰微面试题目）
2、画出8031与2716（2k*8rom）的连线图，要求采用三-八译码器，8031的p2.5,p2.4和p2.3参加译码，基本地址范围为3000h-3fffh。该2716有没有重叠地址？根据是什么？若有，则写出每片2716的重叠地址范围。（仕兰微面试题目）
3、用8051设计一个带一个8*16键盘加驱动八个数码管（共阳）的原理图。（仕兰微面试题目）
4、pci总线的含义是什么？pci总线的主要特点是什么？ （仕兰微面试题目）
5、中断的概念？简述中断的过程。（仕兰微面试题目）
6、如单片机中断几个/类型，编中断程序注意什么问题；（未知）
7、要用一个开环脉冲调速系统来控制直流电动机的转速，程序由805
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