奇码笔试题目（Physical Design）
一，填空
1，集成电路的分类，按材料，工艺
2，集成电阻的计算，以及其制造工艺
3，Vtp，Vtn的'正负判断，分别对于增强型和耗尽型
4，CMOS电路功耗包括哪两个部分，功耗设计主要考虑的因素
……（还有几道不记得了）
二，填表
全定制，门阵列，FPGA各自单元模块，连线的性质……
三，填图
CMOS工艺流程填图画图
四，问答
1，CMOS单元负载较大的电容时，只有提高W，这样会使W*L增加，相对前级又时一个大电
容，如何解决这一矛盾？
2，结合软件谈谈全定制集成电路设计流程
3，谈谈对Layout设计的看法
五，翻版图或者画版图，选一
第二卷
1，什么时格雷码？
2，Nyquist采样定例
3，球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功
4，运算放大器1，…………2，有几级，各级之间耦合方式有几种，分析各种的优劣。
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