常见的数字电路笔试题目(3)

时间：2020-11-12 17:03:19 笔试题目我要投稿

常见的数字电路笔试题目

　　74、用FSM实现101101的序列检测模块。(南山之桥)

　　a为输入端，b为输出端，如果a连续输入为1101则b输出为1，否则为0。

　　例如a： 0001100110110100100110

　　b： 0000000000100100000000

　　请画出state machine;请用RTL描述其state machine。(未知)

　　75、用verilog/vddl检测stream中的特定字符串(分状态用状态机写)。(飞利浦-大唐

　　笔试)

　　76、用verilog/vhdl写一个fifo控制器(包括空，满，半满信号)。(飞利浦-大唐笔试)

　　77、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx，其中，x

　　为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v假

　　设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。(仕兰微

　　电子)

　　78、sram，falsh memory，及dram的区别?(新太硬件面试)

　　79、给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9

　　-14b)，问你有什么办法提高refresh time，总共有5个问题，记不起来了。(降低温

　　度，增大电容存储容量)(Infineon笔试)

　　80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out

　　which nodes can store data and which node is word line control? (威盛笔试题

　　circuit design-beijing-03.11.09)

　　81、名词:sram,ssram,sdram

　　名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR

　　IRQ: Interrupt ReQuest

　　BIOS: Basic Input Output System

　　USB: Universal Serial Bus

　　VHDL: VHIC Hardware Description Language

　　SDR: Single Data Rate

　　压控振荡器的英文缩写(VCO)。

　　动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。

　　名词解释，无聊的外文缩写罢了，比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、

　　IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器)，FIR IIR DFT(离散

　　傅立叶变换)或者是中文的，比如：a.量化误差 b.直方图 c.白平衡

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