笔试题电路方面

时间：2020-07-22 09:48:27 笔试题目我要投稿

笔试题（电路方面）

一.选择题

笔试题（电路方面）

　　1.降低NMOS的开启电压VT的方法，哪种无效?

　　A.减少衬底的P型掺杂浓度

　　B.减少氧化层厚度

　　C.增加源漏极的N型掺杂浓度

　　D.减少沟道长度

　　2.IO PAD 的设计，一般不常考虑的因素

　　A.ESD特性

　　B.驱动能力

　　C.施密特触发器

　　D.衬偏效应

　　3.逻辑电路低功耗设计中，无效的方法

　　A.采用慢速设计

　　B.减少信号翻转

　　C.减少IC面积

　　D.采用较慢速的'时钟。

　　二.问答题

　　1.写出序列探测器“11000”的RTL代码。

　　2.分析一个CMOS电路的逻辑功能(同或门)。

　　3.分析一鯟MOS电路的逻辑功能(三态门)。

　　4.画出全加器的CMOS电路，说明延时的估算方法。

　　5.A,B为两个时钟，频率差最小为1/8。如果A的频率高，C="0";否则C="1";编程实现。

　　6.编程实现FIR滤波器，系数为C0,C1,C2,C3,C2,C1,C0。输入DI，输出DO。系数和DI均为8比特。

　　7.一个圆盘，一半黑，一半白。有两个探测器，用1表示白，0表示黑。设计一个电路，可以探测出圆盘是顺时针转动还是逆时针转动。

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