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基于LAPS的铜离子薄膜传感器研究
全部作者： 胡卫军 第1作者单位： Computer Science and Information Engineering College, Chongqing Technology and Business University 论文摘要： 采用Cu2+选择电极的硫属玻璃敏感材料，结合脉冲激光沉积技术与光寻址电位传感器的特点,在光寻址电位传感器表面上沉积了对Cu2+敏感的薄膜材料，研制了1种新型Cu2+选择薄膜传感器。该传感器基底为n型单晶硅片，金属接触层为Cr/Au。通过实验可以得出该传感器的检出下限为 1.15×10-7 mol/L，响应时间小于2 min,适用溶液pH范围 4～7，具有测量快速灵活，所需样品少，测量下限低等特点。此外，由于采用交流的光激发电流信号进行测量，所以相对于离子选择电极其灵敏度得到了提高。实验结果证明了该薄膜微型传感器是测量金属离子浓度1种新的有效器件。 关键词： Cu2+敏感薄膜传感器；光寻址电位传感器；脉冲激光沉积 (浏览全文) 发表日期： 2007年11月22日 同行评议：
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