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闪存存储器的浮栅耦合电位研究
全部作者： 董国生 第1作者单位： 上海交通大学微电子学院 论文摘要： 本文首先介绍了分栅闪存存储器的器件结构及其通常情况下擦除、编程、和读取时的字线电位、源线电位、位线电位和操作时间等在内的操作条件, 然后详细阐述了该器件结构浮栅单元通过F-N电子隧穿和沟道热电子注入来进行擦除和编程的工作原理以及在控制栅和叠栅的水平和垂直方向上的电场分布。在对存储器的器件结构和工作原理的介绍的基础之上，对标准叠栅和分栅结构分别建立了平板电容理论模型，从而进1步得到了浮栅电位的耦合系数模型。模型的建立非常有利于现实工作中进行闪存性能和失效模式的分析，从而可以更快更有效地改进闪存工艺，提高闪存性能。 关键词： 分栅闪存器件，热载流子, 浮栅耦合系数，电容系统模型 (浏览全文) 发表日期： 2008年04月14日 同行评议：
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