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MOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟
全部作者： 夏春梅 贺朝会 第1作者单位： 西安交通大学 论文摘要： 用DESSIS器件模拟软件对MOSFET的单粒子效应进行了研究，模拟的结果与电荷漏斗模型[1]相吻合，表明了所建立的物理模型的正确性。在不同LET（Linear Energy Transfer）值的离子的入射下，MOSFET的漏极收集电流随LET值的增大而增大。模拟结果表明重离子也能引起源－漏穿通效应，而且证明当器件的特征尺寸减小到1定尺度以下时，既能产生直接沟道效应，也能产生间接沟道效应。通过比较不同特征尺寸器件在间接沟道入射时沟道处的等位线的分布情况，证明了当器件的特征尺寸越来越小时，源－漏穿通效应越来越明显。 关键词： DESSIS 电荷漏斗模型 源－漏穿通效应 直接沟道效应 间接沟道效应 (浏览全文) 发表日期： 2008年04月25日 同行评议：
目前对于单粒子效应的研究多集中于实验方面，对器件内部发生的过程和机制尚需进行细致的理论分析，因此该论文的选题有意义。但是该文的全部内容是利用现有软件对MOSFET的重离子辐照瞬态过程进行模拟，没有反映重要的器件物理问题如：受到重离子辐照而激发产生过剩载流子的机制、过剩载流子的瞬态运动、载流子分布的变化规律等，仅单纯使用软件给出了1些模拟结果，意义不明显。具体来说，存在以下缺陷：（1）如果使用短暂的光脉冲进行激发，同样会得到类似于图3、图6、图7、图8的结果（即也能形成沟道导致源漏穿通），重离子辐照和光辐照相比有何特别之处、究竟是怎样作用的，没有具体说明；（2）在MOSFET漏极结附近的等位线无论是否受到重离子辐照均会表现出类似于图2的分布规律，因此仅以图2为据说明“所建立的物理模型的正确性”很牵强；（3）尽管该文多处提到“所建立的物理模型”，但是从该文中并未见到作者所建立的物理模型；（4）图6没有横坐标名称，图5对应于图6的哪1时刻也未明示；（5）国内外已有不少单位对MOSFET的单粒子效应做了实验研究和理论分析，该文参考文献未反映。
综合评价： 修改稿： 注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对论文各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。【MOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟】相关文章：
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