RTP预处理对直拉硅中铜沉淀行为及其电学性能的影响

RTP预处理对直拉硅中铜沉淀行为及其电学性能的影响

全部作者： 王维燕 杨德仁 第1作者单位： 浙江大学硅材料国家重点实验室 论文摘要： 我们使用红外扫描电镜，电子束诱生电流和微波光电导衰减仪等设备，研究了RTP预处理对直拉硅中Cu沉淀的行为及其电学性能的影响。实验发现，与没有经过RTP预处理的情形相比较，经RTP氩气气氛1200℃或1100℃预处理，几乎对硅中Cu沉淀的尺寸和大小没有影响，但导致硅片复合强度的增强和少子寿命的降低。然而经RTP氧气气氛1200℃或1100℃的预处理，将会抑制Cu沉淀的形成并导致大尺寸Cu沉淀团聚，但仍然导致硅片少子寿命的降低。以上实验结果表明，RTP预处理时注入的空位或自间隙硅原子会对硅中Cu沉淀的行为及其电学性能产生影响。此外，相比经RTP1100℃或氧气气氛下预处理的硅片，经RTP1200℃或氩气气氛下预处理的硅片具有更低的少子寿命。 关键词： 硅，快速热处理，寿命 (浏览全文) 发表日期： 2006年10月26日 同行评议：

（暂时没有）

综合评价： （暂时没有） 修改稿：

【RTP预处理对直拉硅中铜沉淀行为及其电学性能的影响】相关文章：

溶胀预处理对低阶煤液化性能的影响03-03

硅薄膜的制备及光学性能研究03-01

CFE对FRESH滤波器的性能影响分析及其校正03-07

有序中孔炭的制备及其电化学性能03-12

浅谈内部审计在公司治理中的作用、关系及其影响03-23

肉身的“放逐”及其影响03-18

战略联盟中的机会主义行为及其防范研究03-17

投资者群体行为规律及其影响国外研究进展03-05

谈非货币性资产交换中的职业判断及其影响03-18