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物理学研究生毕业论文提纲
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物理学研究生毕业论文提纲范文一
摘要 5-7
Abstract 7-9
目录 10-14
第1章 绪论 14-32
1.1 课题研究背景及意义 14
1.2 常用非球面加工技术简介 14-20
1.2.1 计算机控制表面成形技术(CCOS) 15-16
1.2.2 应力盘抛光技术 16-17
1.2.3 气囊抛光技术 17-18
1.2.4 离子束抛光技术 18-19
1.2.5 磁流变抛光技术 19-20
1.3 磁流变液的研究和应用现状 20-25
1.3.1 磁流变液的发展与应用简介 20-22
1.3.2 磁流变液的研究现状 22-25
1.4 磁流变抛光技术的研究现状 25-30
1.4.1 磁流变抛光原理 25-26
1.4.2 磁流变抛光液的研究现状 26-27
1.4.3 磁流变抛光设备的研究现状 27-28
1.4.4 磁流变抛光的材料去除模型 28-30
1.5 本论文的主要研究内容 30-32
第2章 磁流变抛光液研制及性能测试 32-64
2.1 概述 32
2.2 磁流变抛光液的分散稳定机理 32-36
2.2.1 静电排斥理论—DLVO理论 33-34
2.2.2 空间排斥理论—HVO理论 34-35
2.2.3 磁流变抛光液中铁磁颗粒沉降性问题 35-36
2.3 磁流变抛光液的配制研究 36-48
2.3.1 磁流变抛光液的性能要求 36
2.3.2 磁流变抛光液成分的选择 36-42
2.3.3 磁流变抛光液的配制工艺流程 42-48
2.4 磁流变抛光液的性能检测 48-55
2.4.1 磁流变抛光液的分散稳定性检测 48-50
2.4.2 磁流变抛光液的零磁场粘度检测 50-52
2.4.3 磁流变抛光液的剪切屈服应力检测 52-54
2.4.4 去除函数实验 54-55
2.5 磁流变抛光液的性能优化 55-62
2.5.1 磁流变抛光液的分散体系特性 56-57
2.5.2 絮凝型磁流变抛光液 57-58
2.5.3 去除函数实验 58-62
2.6 本章小结 62-64
第3章 磁流变抛光循环控制系统及其对去除函数的影响 64-86
3.1 概述 64
3.2 磁流变抛光设备主要结构形式 64-68
3.2.1 平置式磁流变抛光结构 64-66
3.2.2 正置式磁流变抛光结构 66-67
3.2.3 倒置式流变抛光结构 67-68
3.3 磁流变抛光循环控制系统 68-73
3.3.1 磁流变抛光设备的主要结构 68-69
3.3.2 循环系统的主要部件 69-72
3.3.3 控制模块的主要部件 72-73
3.4 温度变化对去除函数的影响 73-77
3.4.1 温度变化对粘度的影响 73-74
3.4.2 温度变化对流量的影响 74-75
3.4.3 温度变化对去除函数的影响 75-77
3.5 粘度变化对去除函数的影响 77-81
3.5.1 铁粉颗粒含量对磁流变抛光液粘度的影响 77-79
3.5.2 粘度变化对去除函数的影响 79-81
3.6 去除函数稳定性测试 81-85
3.7 本章小结 85-86
第4章 工艺参数对工件受力和去除函数的影响 86-124
4.1 概述 86
4.2 实验细节描述 86-89
4.2.1 测量设备 87-88
4.2.2 抛光材料 88-89
4.3 压入深度与工件受力和去除函数的关系 89-102
4.3.1 BK7 玻璃 91-96
4.3.2 RB-SiC陶瓷材料 96-101
4.3.3 压入深度h0过大对去除函数的影响 101-102
4.4 抛光液成分对工件受力和去除函数的影响 102-119
4.4.1 铁粉颗粒含量的影响 102-107
4.4.2 铁粉粒径的的影响 107-113
4.4.3 抛光粉含量的影响 113-119
4.5 材料去除效率与工件受力的关系 119-123
4.5.1 正压力和压强与材料去除效率关系 119-121
4.5.2 剪切力和剪切应力与材料去除效率关系 121-123
4.6 本章小结 123-124
第5章 碳化硅及改性硅表面的磁流变抛光 124-149
5.1 概述 124
5.2 碳化硅材料的磁流变抛光 124-126
5.2.1 碳化硅的材料特性 124-125
5.2.2 常用碳化硅材料的比较 125-126
5.3 RB-SiC的磁流变抛光 126-138
5.3.1 RB-SiC的材料去除机理 126-130
5.3.2 RB-SiC的粗糙度 130-133
5.3.3 RB-SiC材料的实际抛光 133-138
5.4 RB-SiC基底改性硅表面的磁流变抛光 138-148
5.4.1 碳化硅材料的改性 138-140
5.4.2 改性硅的磁流变抛光 140-148
5.5 本章小结 148-149
第6章 总结与展望 149-151
6.1 总结 149-150
6.2 论文创新点 150
6.3 工作展望 150-151
参考文献 151-159
物理学研究生毕业论文提纲范文二
摘要 5-7
Abstract 7-8
目录 9-12
第1章 绪论 12-26
1.1 半导体激光器的研究进展 12-21
1.1.1 高功率半导体激光器 12-15
1.1.2 高效率半导体激光器 15
1.1.3 高可靠性半导体激光器 15-16
1.1.4 高光束质量半导体激光器 16-18
1.1.5 窄线宽半导体激光器 18-21
1.2 单纵模半导体激光器的研究进展 21-23
1.2.1 国外单纵模半导体激光器的研究进展 22-23
1.2.2 国内单纵模半导体激光器的研究进展 23
1.3 本文的研究目的与内容 23-26
第2章 高阶光栅单纵模半导体激光器理论设计与分析 26-46
2.1 半导体激光器的基本特性 26-29
2.1.1 半导体的辐射跃迁 26-27
2.1.2 半导体激光器的增益与阈值条件 27-29
2.2 半导体激光器的输出功率与转换效率 29-31
2.2.1 半导体激光器的输出功率 29-30
2.2.2 半导体激光器的转化效率 30-31
2.3 半导体激光器的纵模与光谱特性 31-32
2.4 高阶布拉格光栅波导的理论模型 32-38
2.4.1 分布反馈(DFB)激光器和分布布拉格反射(DBR)激光器 32-33
2.4.2 散射理论 33-36
2.4.3 传输矩阵理论模型 36-38
2.5 高阶布拉格光栅波导的光学特性分析 38-42
2.5.1 传输矩阵分析 38-40
2.5.2 高阶布拉格光栅的损耗光谱 40-42
2.6 单纵模激光器的空间相干性分析 42-45
2.6.1 部分相干光定理 42-43
2.6.2 相干度理论计算方法 43-45
2.7 本章小结 45-46
第3章 高阶光栅单纵模半导体激光器制备 46-68
3.1 外延生长技术 46-47
3.2 光刻技术 47-52
3.3 刻蚀技术 52-61
3.3.1 干法刻蚀 52-55
3.3.2 SiO2和GaAs刻蚀工艺探索 55-59
3.3.3 湿法腐蚀 59-61
3.4 薄膜生长技术 61-65
3.4.1 电绝缘膜生长技术 62
3.4.2 金属电极生长技术 62-64
3.4.3 光学薄膜生长技术 64-65
3.5 高阶光栅半导体激光器的制备 65-66
3.6 本章小结 66-68
第4章 高阶光栅分布布拉格反射半导体激光器 68-94
4.1 高阶光栅单纵模分布布拉格反射半导体激光器 68-81
4.1.1 器件结构设计 68-76
4.1.2 器件制备 76-77
4.1.3 器件测量结果 77-81
4.2 双波长高阶光栅分布布拉格发射激光器 81-86
4.2.1 器件设计 81-83
4.2.2 器件制备 83-84
4.2.3 器件测量结果 84-86
4.3 高阶光栅耦合半导体激光器可靠性分析 86-92
4.3.1 拉曼光谱分析技术原理 87-88
4.3.2 测试结果与分析 88-92
4.4 本章小结 92-94
第5章 高阶光栅单纵模分布反馈半导体激光器 94-100
5.1 器件制备 94-96
5.2 器件测量结果 96-99
5.3 本章小结 99-100
第6章 单纵模半导体激光器件空间相干特性的研究 100-116
6.1 VCSEL单管器件空间相干性研究 100-107
6.1.1 部分相干光理论 101-103
6.1.2 测试结果 103-107
6.2 VCSEL列阵器件的空间相干特性研究 107-114
6.2.1 器件设计 107-110
6.2.2 器件制备 110
6.2.3 测试结果 110-114
6.3 本章小结 114-116
第7章 总结与展望 116-118
参考文献 118-132